FS200R12KT4RPBPSA1

FS200R12KT4RPBPSA1

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MODULE

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tray
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດ igbt
    Trench
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Three Phase Inverter
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1200 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    280 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    1000 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    1 mA
  • input capacitance (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    Yes
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    Module
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    Module

FS200R12KT4RPBPSA1 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 1074
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
187.11000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:187.11000