ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  25 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  2.1V @ 50µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±16V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  -
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  DIRECTFET™ S3C
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  DirectFET™ Isometric S3C