ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  MOSFET (Metal Oxide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  30 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  14A (Ta), 60A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  4.5V, 10V
• rds on (max) @ id, vgs
  7.3mOhm @ 14A, 10V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  2.4V @ 25µA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  14 nC @ 4.5 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  ±20V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  1.43 pF @ 15 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  -
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  2.2W (Ta), 42W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  DIRECTFET™ SQ
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  DirectFET™ Isometric SQ