IRG8P08N120KDPBF

IRG8P08N120KDPBF

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    -
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1.2 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    15 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    15 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2V @ 15V, 5A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    89 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    300µJ (on), 300µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    45 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    20ns/160ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    600V, 5A, 47Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    50 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247AC

IRG8P08N120KDPBF ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 11675
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
1.87000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:1.87000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ