IRGP6650D-EPBF

IRGP6650D-EPBF

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT WITH RECOVERY DIODE

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດ igbt
    -
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    600 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    80 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    105 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 35A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    306 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    300µJ (on), 630µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    75 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    40ns/105ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    50 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247AD

IRGP6650D-EPBF ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 11691
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
2.76000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:2.76000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ