MJD340TF

MJD340TF

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    NPN
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    500 mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    300 V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    -
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    100µA
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    30 @ 50mA, 10V
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    1.56 W
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    -
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    D-Pak

MJD340TF ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 42611
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.24000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.24000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ