ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Bulk
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດ transistor
  PNP - Pre-Biased
• ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
  100 mA
• ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
  50 V
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
  2.2 kOhms
• ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
  2.2 kOhms
• dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
  8 @ 5mA, 10V
• vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
  250mV @ 5mA, 10mA
• ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
  500nA
• ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
  -
• ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
  246 mW
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  SOT-23-3 (TO-236)