NGTB40N120FL2WG

NGTB40N120FL2WG

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1.2 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    80 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    200 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.4V @ 15V, 40A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    535 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    3.4mJ (on), 1.1mJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    313 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    116ns/286ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    240 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247

NGTB40N120FL2WG ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 12257
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
2.66000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:2.66000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ