NGTB60N60SWG

NGTB60N60SWG

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT, 120A, 600V, N-CHANNEL

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Obsolete
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    600 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    120 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    240 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.5V @ 15V, 60A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    298 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    1.41mJ (on), 600µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    173 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    87ns/180ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    76 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247

NGTB60N60SWG ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 10201
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
3.20000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:3.20000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ