NSV40300MDR2G

NSV40300MDR2G

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ອາເຣ

ລາຍລະອຽດ

LOW VCE(SAT) TRANSISTOR, DUAL PN

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    2 PNP (Dual)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    3A
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    40V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    170mV @ 200mA, 2A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    100nA (ICBO)
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    180 @ 1A, 2V
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    653mW
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    100MHz
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    8-SOIC

NSV40300MDR2G ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 33156
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.31000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.31000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ