NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - arrays, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    10kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    10kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    35 @ 5mA, 10V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    -
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    250mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SC-88/SC70-6/SOT-363

NSVMUN5111DW1T3G ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 112026
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.09000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.09000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ