NSVT3904DP6T5G

NSVT3904DP6T5G

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ອາເຣ

ລາຍລະອຽດ

DUAL UPN BIPOLAR TRANSISTOR

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    2 NPN (Dual)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    200mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    40V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    300mV @ 5mA, 50mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    -
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    100 @ 10mA, 1V
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    350mW
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    200MHz
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-963
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SOT-963

NSVT3904DP6T5G ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 91862
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.11000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.11000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ