-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
NSVT3906DXV6T1G
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດBulk
-
ສະຖານະສ່ວນActive
-
ປະເພດ transistor2 PNP (Dual)
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)200mA
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)40V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic400mV @ 5mA, 50mA
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)-
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce100 @ 10mA, 1V
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ500mW
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ250MHz
-
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ-55°C ~ 150°C (TJ)
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງSurface Mount
-
ຊຸດ / ກໍລະນີSOT-563, SOT-666
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງSOT-563
