PBSS4260PAN,115

PBSS4260PAN,115

ຜູ້ຜະລິດ

Rochester Electronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ອາເຣ

ລາຍລະອຽດ

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    2 NPN (Dual)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    2A
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    60V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    90mV @ 50mA, 500mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    100nA (ICBO)
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    120 @ 1A, 2V
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    510mW
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    140MHz
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    6-UDFN Exposed Pad
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    6-HUSON-EP (2x2)

PBSS4260PAN,115 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 84154
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.12000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.12000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ