ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tray
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  1200 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  400A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  -
• rds on (max) @ id, vgs
  -
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  5.6V @ 106.8mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  -
• vgs (ສູງສຸດ)
  +22V, -4V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  17000 pF @ 10 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  -
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  1570W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  175°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Chassis Mount
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  Module
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  Module