RGC80TSX8RGC11

RGC80TSX8RGC11

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1800 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    80 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    120 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    5V @ 15V, 40A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    535 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    1.85mJ (on), 1.6mJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    468 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    80ns/565ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    -
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247N

RGC80TSX8RGC11 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 7000
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
8.22000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:8.22000