RGTH50TK65GC11

RGTH50TK65GC11

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    650 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    26 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    100 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 25A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    59 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    -
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    49 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    27ns/94ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    -
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-3PFM, SC-93-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-3PFM

RGTH50TK65GC11 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 7351
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
4.70000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:4.70000