RGTV60TK65DGVC11

RGTV60TK65DGVC11

ຜູ້ຜະລິດ

ROHM Semiconductor

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    650 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    33 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    120 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 30A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    76 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    570µJ (on), 500µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    64 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    33ns/105ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    95 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-3PFM, SC-93-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-3PFM

RGTV60TK65DGVC11 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 9302
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
5.95000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:5.95000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ