-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
2SB1351
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດBulk
-
ສະຖານະສ່ວນActive
-
ປະເພດ transistorPNP - Darlington
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)12 A
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)60 V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic1.5V @ 20mA, 10A
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)10µA (ICBO)
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce2000 @ 10A, 4V
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ30 W
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ130MHz
-
ອຸນຫະພູມປະຕິບັດການ150°C (TJ)
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງThrough Hole
-
ຊຸດ / ກໍລະນີTO-220-3 Full Pack
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງTO-220F
