ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Active
• ການຕັ້ງຄ່າຂັບເຄື່ອນ
  Half-Bridge
• ປະເພດຊ່ອງ
  Independent
• ຈໍາ​ນວນ​ຄົນ​ຂັບ​ລົດ​
  2
• ປະເພດປະຕູ
  IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
• ແຮງດັນ - ການສະຫນອງ
  17V (Max)
• ແຮງດັນຕາມເຫດຜົນ - vil, vih
  1.1V, 1.8V
• ປະຈຸບັນ - ຜົນຜະລິດສູງສຸດ (ແຫຼ່ງ, ຈົມ)
  400mA, 650mA
• ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
  Inverting
• ແຮງດັນສູງ - ສູງສຸດ (bootstrap)
  600 V
• ເວລາຂຶ້ນ/ຕົກ (ພິມ)
  70ns, 40ns
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -45°C ~ 125°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Surface Mount
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  -