STGW25H120DF2

STGW25H120DF2

ຜູ້ຜະລິດ

STMicroelectronics

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ດຽວ

ລາຍລະອຽດ

IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tube
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench Field Stop
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1200 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    50 A
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ ກຳ ເຕັ້ນ (icm)
    100 A
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.6V @ 15V, 25A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    375 W
  • ສະຫຼັບພະລັງງານ
    600µJ (on), 700µJ (off)
  • ປະເພດປ້ອນຂໍ້ມູນ
    Standard
  • ຄ່າຜ່ານປະຕູ
    100 nC
  • td (ເປີດ/ປິດ) @ 25°c
    29ns/130ns
  • ສະ​ພາບ​ການ​ທົດ​ສອບ​
    600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • ເວລາການຟື້ນຕົວແບບປີ້ນກັບກັນ (trr)
    303 ns
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Through Hole
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-247-3
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    TO-247

STGW25H120DF2 ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 9331
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
5.97000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:5.97000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ