MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - rf

ລາຍລະອຽດ

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    NPN
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    6V
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    8GHz
  • ຕົວເລກສຽງ (db ພິມ @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • ໄດ້ຮັບ
    10.5dB
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    1W
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100mA
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    TO-243AA
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    PW-MINI

MT3S111P(TE12L,F) ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 23433
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.89000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.89000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ