-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
RN1117MFV,L3F
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ປະເພດຜະລິດຕະພັນ
transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ, pre-biased
ລາຍລະອຽດ
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດTape & Reel (TR)
-
ສະຖານະສ່ວນActive
-
ປະເພດ transistorNPN - Pre-Biased
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)100 mA
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)50 V
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)10 kOhms
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)4.7 kOhms
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce30 @ 10mA, 5V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic300mV @ 500µA, 5mA
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)500nA
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ250 MHz
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ150 mW
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງSurface Mount
-
ຊຸດ / ກໍລະນີSOT-723
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງVESM
