RN1709JE(TE85L,F)

RN1709JE(TE85L,F)

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - arrays, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

NPN X 2 BRT, Q1BSR=47KΩ, Q1BER=2

RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    47kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    22kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    70 @ 10mA, 5V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    250MHz
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    100mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-553
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    ESV

RN1709JE(TE85L,F) ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 25195
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.41000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.41000