RN2132MFV,L3F

RN2132MFV,L3F

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    PNP - Pre-Biased
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100 mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50 V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    200 kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    -
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 5V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    100nA (ICBO)
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    -
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    150 mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-723
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    VESM

RN2132MFV,L3F ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 56440
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.18000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.18000