RN2316,LF

RN2316,LF

ຜູ້ຜະລິດ

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - bipolar (bjt) - ດຽວ, pre-biased

ລາຍລະອຽດ

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A USM

RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ transistor
    PNP - Pre-Biased
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    100 mA
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    50 V
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)
    4.7 kOhms
  • ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)
    10 kOhms
  • dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce
    50 @ 10mA, 5V
  • vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    500nA
  • ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ
    200 MHz
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    100 mW
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Surface Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SC-70, SOT-323
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    USM

RN2316,LF ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 56553
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
0.18000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:0.18000