-
-
ລາຄາຕໍ່າຜ່ານໂຮງງານໂດຍກົງ
ເຮັດວຽກກັບໂຮງງານເອເລັກໂຕຣນິກໂດຍກົງເພື່ອຕັດຄົນກາງອອກ. ຕົ້ນສະບັບໃຫມ່ທີ່ມີລາຄາຕ່ໍາແລະສ່ວນຫຼຸດ
-
ຄວາມປອດໄພ & ຄຸນນະພາບທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້
ລະບົບການປະກັນໄພຄຸນນະພາບສໍາລັບຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນທີ່ດີເລີດ. ຕາມເວລາ, ທຸກໆເວລາການສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ມີຄຸນນະພາບ.
-
ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ
100+ ຜູ້ຜະລິດທີ່ມີຊື່ສຽງທົ່ວໂລກ, ຫຼາຍກວ່າ 15 ລ້ານສິນຄ້າຄົງຄັງ. ມີຫຼັກຊັບທີ່ສະຫນັບສະຫນູນການຊື້ໂດຍກົງກັບລາຄາສ່ວນຫຼຸດ.
-
ການບໍລິການທີ່ເປັນມິດກັບລູກຄ້າ
ການແກ້ໄຂການຢຸດດຽວສ່ວນບຸກຄົນກັບຄວາມຕ້ອງການເປັນເອກະລັກຂອງທ່ານ. ສະຫນັບສະຫນູນໃນເວັບໄຊທ໌ 12 ພາສາ, ຄວາມສະດວກແລະການບໍລິການໄວ.
RN2712JE(TE85L,F)
ຜູ້ຜະລິດ
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ປະເພດຜະລິດຕະພັນ
transistors - bipolar (bjt) - arrays, pre-biased
ລາຍລະອຽດ
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RFQ Email: [email protected] or ສອບຖາມອອນໄລນ໌
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
-
ຊຸດTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
-
ສະຖານະສ່ວນActive
-
ປະເພດ transistor2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
-
ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)100mA
-
ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)50V
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ (r1)22kOhms
-
ຕົວຕ້ານທານ - ຖານ emitter (r2)-
-
dc current gain (hfe) (min) @ ic, vce120 @ 1mA, 5V
-
vce ການອີ່ມຕົວ (ສູງສຸດ) @ ib, ic300mV @ 250µA, 5mA
-
ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)100nA (ICBO)
-
ຄວາມຖີ່ - ການຫັນປ່ຽນ200MHz
-
ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ100mW
-
ປະເພດການຕິດຕັ້ງSurface Mount
-
ຊຸດ / ກໍລະນີSOT-553
-
ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງESV
