VS-GT80DA120U

VS-GT80DA120U

ຜູ້ຜະລິດ

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

ປະເພດຜະລິດຕະພັນ

transistors - igbts - ໂມດູນ

ລາຍລະອຽດ

IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT227

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

  • ຊຸດ
    Bulk
  • ສະຖານະສ່ວນ
    Active
  • ປະເພດ igbt
    Trench
  • ການຕັ້ງຄ່າ
    Single
  • ແຮງດັນ - ການແຍກຕົວເກັບກຳ emitter (ສູງສຸດ)
    1200 V
  • ປັດຈຸບັນ - ຕົວເກັບ (ic) (ສູງສຸດ)
    139 A
  • ພະລັງງານ - ສູງສຸດທີ່ເຄຍ
    658 W
  • vce(on) (ສູງສຸດ) @ vge, ic
    2.55V @ 15V, 80A
  • ປະຈຸບັນ - ການຕັດຕົວເກັບລວບລວມ (ສູງສຸດ)
    100 µA
  • input capacitance (cies) @ vce
    4.4 nF @ 25 V
  • ວັດສະດຸປ້ອນ
    Standard
  • ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ ntc
    No
  • ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
    Chassis Mount
  • ຊຸດ / ກໍລະນີ
    SOT-227-4, miniBLOC
  • ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
    SOT-227

VS-GT80DA120U ຂໍໃບສະເໜີລາຄາ

ໃນ​ສາງ 2146
ປະລິມານ:
ລາຄາຫົວໜ່ວຍ (ລາຄາອ້າງອີງ):
38.99000
ລາຄາເປົ້າຫມາຍ:
ທັງໝົດ:38.99000

ແຜ່ນຂໍ້ມູນ