ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊຸດ
  Tube
• ສະຖານະສ່ວນ
  Not For New Designs
• ປະເພດຕີນ
  N-Channel
• ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​
  SiCFET (Silicon Carbide)
• ລະບາຍກັບແຮງດັນແຫຼ່ງ (vdss)
  1700 V
• ປັດຈຸບັນ - ລະບາຍນ້ຳຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ (ສູງສຸດ rds ເປີດ, ຕ່ໍາສຸດ rds ສຸດ)
  20V
• rds on (max) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (ສູງສຸດ) @ id
  4V @ 18mA
• gate charge (qg) (max) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (ສູງສຸດ)
  +25V, -10V
• input capacitance (ciss) (max) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• ຄຸນນະສົມບັດ feet
  -
• ການກະຈາຍພະລັງງານ (ສູງສຸດ)
  520W (Tc)
• ອຸນ​ຫະ​ພູມ​ປະ​ຕິ​ບັດ​ການ​
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• ປະເພດການຕິດຕັ້ງ
  Through Hole
• ຊຸດອຸປະກອນຜູ້ສະຫນອງ
  TO-247-4
• ຊຸດ / ກໍລະນີ
  TO-247-4